[发明专利]封装基板及其制作方法、封装结构

权利要求书

1.一种封装基板的制作方法，包括：

提供一基板单元，包括一承载板、结合于所述承载板的至少一表面的一抗蚀层以及形成于每一抗蚀层上的一第一铜箔层；

利用二流体蚀刻技术蚀刻每一第一铜箔层而得到一第一导电线路层，使所述第一导电线路层形成有临近所述抗蚀层设置的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，所述第一端部的宽度大于所述第二端部的宽度；

在每一第一导电线路层的表面上压合一覆铜基板，所述覆铜基板包含一绝缘层与一第二铜箔层，并使所述绝缘层填充于所述第一导电线路层所形成的间隙中，从而使所述第一导电线路层被所述绝缘层包覆而呈嵌埋型态；

利用半蚀刻技术薄化每一第二铜箔层，并在薄化后的每一第二铜箔层及绝缘层上开设多个用于暴露所述第一导电线路层的盲孔；

在薄化后的每一第二铜箔层上形成一电镀铜层，并使所述电镀铜层填充于所述盲孔中而形成导电部；

利用二流体蚀刻技术蚀刻每一电镀铜层以及形成于于所述电镀铜层下的第二铜箔层而得到一第二导电线路层，使所述第二导电线路层形成有临近所述第一导电线路层的第二端部设置的第三端部以及与所述第三端部相对的第四端部，所述第三端部的宽度大于所述第四端部的宽度，其中所述第二导电线路层通过所述导电部与所述第一导电线路层电性连接；以及

移除每一抗蚀层及该承载板之后，在所述第一导电线路层和所述第二导电线路层上分别形成一防焊层，然后在每一防焊层上开设用于分别暴露所述第一导电线路层的第一端部和第二导电线路层的第四端部的开口，从而得到所述封装基板。

2.如权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，所述第一端部的宽度与所述第二端部的宽度的差值小于10μm，所述第三端部的宽度与所述第四端部的宽度的差值小于10μm。

3.如权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，还包括：

在每一开口中形成焊球而结合至所述第一导电线路层的第一端部和第二导电线路层的第四端部；以及

在位于所述第二端部的焊球上电性连接半导体芯片。

4.如权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，所述盲孔的 内壁还形成有导体层。

5.如权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，在所述开口的底部还形成表面处理层。

6.一种封装基板，包括第一导电线路层以及绝缘层，所述第一导电线路层包括一第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，其特征在于，所述绝缘层包覆所述第一导电线路层的第二端部并填充所述第一导电线路层所形成的间隙，以使所述第一导电线路层内埋于所述绝缘层中，所述第一端部的宽度大于所述第二端部的宽度，所述绝缘层内开设多个用于暴露所述第一导电线路层的盲孔，所述盲孔中形成有导电部，所述绝缘层上还形成有第二导电线路层，所述第二导电线路层与所述绝缘层接触的部分设有一第二铜箔层，所述第二导电线路层通过所述导电部与所述第一导电线路层电性连接，所述第二导电线路层包括临近所述第二端部设置的第三端部以及与所述第三端部相对的第四端部，所述第三端部的宽度大于所述第四端部的宽度，所述第一导电线路层和第二导电线路层上分别形成有防焊层，每一防焊层上开设有用于分别暴露所述第一导电线路层的第一端部和第二导电线路层的第四端部的开口。

7.如权利要求6所述的封装基板，其特征在于，所述第一端部的宽度大于所述第二端部的宽度，且所述第一端部的宽度与所述第二端部的宽度的差值小于10μm。

8.如权利要求6所述的封装基板，其特征在于，所述盲孔的内壁还形成有导体层。

9.如权利要求6所述的封装基板，其特征在于，在所述开口的底部还形成表面处理层。

10.一种封装结构，包括第一导电线路层以及绝缘层，所述第一导电线路层包括一第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，其特征在于，所述绝缘层包覆所述第一导电线路层的第二端部并填充所述第一导电线路层所形成的间隙，以使所述第一导电线路层内埋于所述绝缘层中，所述第一端部的宽度大于所述第二端部的宽度，所述绝缘层内开设多个用于暴露所述第一导电线路层的盲孔，所述盲孔中形成有导电部，所述绝缘层上还形成有第二导电线路层，所述第二导电线路层与所述绝缘层接触的部分设有一第二铜箔层，所述第二导电线路层通过所述导电部与所述第一导电线路层电性连接，所述第二导电线路层包括临近所述第二端部设置的第三端部以及与所述 第三端部相对的第四端部，所述第三端部的宽度大于所述第四端部的宽度，所述第一导电线路层和第二导电线路层上分别形成有防焊层，每一防焊层上开设有用于分别暴露所述第一导电线路层的第一端部和第二导电线路层的第四端部的开口，在每一开口中形成有结合于所述第一端部和第四端部的焊球，在位于所述第二端部的焊球上电性连接有一半导体芯片。