[发明专利]一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 201610536738.9 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN107591457B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 姜辛;张兴来;刘鲁生;刘宝丹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种三维(3D)树枝状结构的光电探测器及其制作方法,属于光电探测器领域。光电探测器自下而上依次有Si基底、绝缘SiO2层、3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料和金属电极。首先,利用热碳还原的方法制备3C‑SiC纳米线主干;然后,采用沉积的方法在3C‑SiC纳米线表面沉积一层ZnO种子层;再利用水热的方法在ZnO种子层上生长ZnO纳米线枝杈,形成3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料;最后,将单根3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料转移至SiO2/Si衬底,利用光刻和剥离技术在异质结材料两端镀上金属电极,既得所述光电探测器。本发明光电探测器具有更大的吸光面积和吸光范围,以及更有效的光生载流子分离率、更高的光电流增益和更快的光响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 树枝 结构 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种3D树枝状结构的光电探测器,其特征在于:该光电探测器包括Si衬底,在Si衬底表面沉积有绝缘的SiO2层,在SiO2层的表面设置有3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料,在3C‑SiC/ZnO树枝状异质结材料两端沉积有金属电极,且形成欧姆接触;所述的3D树枝状结构的光电探测器的制作方法,包括如下步骤:1)取相同摩尔数的二氧化硅和碳的粉末在石英舟中混合均匀,将混合后的粉末放入高温管式炉中加热并保温,在加热过程中持续通入保护性气体,得到3C‑SiC纳米线;2)利用沉积的方法在已合成的3C‑SiC纳米线表面均匀的溅射一层ZnO种子层;3)将20~30mM的六水合硝酸锌和20~30mM的六亚甲基四胺晶体放入80~120ml的水中充分搅拌,将搅拌后的溶液转移至水热反应釜中;将溶液加热并保温,得到3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料;4)将得到的3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料放入管式炉中,在300~400℃的温度下退火0.5~2小时;5)利用超声振荡、旋涂的方法,将3C‑SiC/ZnO树枝状结异质结材料转移至表面长有SiO2层的Si基片上;采用光刻工艺和剥离技术在树枝状异质材料的两端沉积一层金属电极,形成最终的3C‑SiC/ZnO树枝状紫外/可见光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-02 .零部件
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