[发明专利]一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF2粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。本发明制备掺氟氧化亚铜薄膜的方法，其可控性强、工艺简单、制作成本低，并且生成的薄膜具有很好的附着性和重复性，可满足大规模生产需要；并且本发明制备的掺氟氧化亚铜薄膜具有载流子迁移率高、电阻率低等特点，可有效提高掺氟氧化亚铜薄膜制成的太阳能电池光电转换效率。

主权项

一种掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF2粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜；所述步骤B具体包括：B1、先将所述氧化亚铜薄膜放置在不锈钢支架上，然后将所述不锈钢支架放入管式炉中；B2、将CuF2粉末放置在所述不锈钢支架前面7~9mm处，采用热扩散方法将所述CuF2粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。