[发明专利]一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；

B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF₂粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜；

所述步骤B具体包括：

B1、先将所述氧化亚铜薄膜放置在不锈钢支架上，然后将所述不锈钢支架放入管式炉中；

B2、将CuF₂粉末放置在所述不锈钢支架前面7~9mm处，采用热扩散方法将所述CuF₂粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。

2.根据权利要求1所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述反应性共溅射过程在氧气流为1sccm、氩气流为12sccm条件下进行。

3.根据权利要求1所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述反应性共溅射气压为1.5~2.5Pa，反应性共溅射电压为300~400V，反应性共溅射时间为50~70min。

4.根据权利要求3所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述反应性共溅射气压为2Pa，反应性共溅射电压为350V，反应性共溅射时间为60min。

5.根据权利要求1所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述热扩散过程在氩气流为100sccm的条件下进行。

6.根据权利要求1所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述管式炉内的气压为350~450Pa。

7.根据权利要求1所述的掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述热扩散温度为900~1200℃，热扩散时间为25~35min。

8.一种掺氟氧化亚铜薄膜，其特征在于，采用如权利要求1至7任一所述的制备方法制成。