[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部；在鳍部侧壁和顶部形成牺牲层；形成牺牲层后，在相邻鳍部之间的衬底上形成前驱隔离膜，前驱隔离膜顶部高于鳍部顶部；对前驱隔离膜进行退火工艺，将前驱隔离膜转化为隔离膜；去除部分厚度的隔离膜，暴露出鳍部顶部以及部分侧壁，形成隔离结构。本发明先在鳍部侧壁和顶部形成牺牲层；后续形成前驱隔离膜的工艺过程中，先氧化牺牲层；因此牺牲层可以在形成前驱隔离膜时，对鳍部起到保护作用，减少或避免对鳍部的氧化，从而可以减少或避免对鳍部尺寸的影响，进而优化半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述鳍部侧壁和顶部形成牺牲层；形成所述牺牲层后，在相邻所述鳍部之间的衬底上形成前驱隔离膜，所述前驱隔离膜顶部高于所述鳍部顶部；对所述前驱隔离膜进行退火工艺，将所述前驱隔离膜转化为隔离膜；去除部分厚度的隔离膜，暴露出鳍部顶部以及部分侧壁，形成隔离结构。