[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；

在所述鳍部侧壁和顶部形成牺牲层；

形成所述牺牲层后，在相邻所述鳍部之间的衬底上形成前驱隔离膜，所述前驱隔离膜顶部高于所述鳍部顶部；在形成所述前驱隔离膜后，所述牺牲层转化成反应层，所述反应层的材料为氧化硅；

对所述前驱隔离膜进行退火工艺，将所述前驱隔离膜转化为隔离膜；

去除部分厚度的隔离膜，暴露出鳍部顶部以及部分侧壁，形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为富硅氧化硅或无定型硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述富硅氧化硅中，硅的原子百分比含量为50％至75％。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺为原子层沉积工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为富硅氧化层，所述原子层沉积工艺的工艺参数包括：向原子层沉积室内通入含Si和O的前驱体，工艺温度为80摄氏度至300摄氏度，压强为1毫托至500毫托，沉积次数为8次至50次。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为至

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述前驱隔离膜的工艺为流动性化学气相沉积工艺或高纵宽比化学气相沉积工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅，所述流动性化学气相沉积工艺的步骤包括：在所述衬底上沉积包含Si和O的薄膜前驱体；

对所述薄膜前驱体进行水汽退火处理，形成前驱隔离膜。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沉积所述薄膜前驱体的工艺温度为50摄氏度至90摄氏度；

所述水汽退火处理的工艺参数包括：退火温度为400℃至800℃，退火时间为15分钟至120分钟。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火处理。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数包括：退火温度为900℃至1050℃，退火时间为10分钟至40分钟，压强为一个标准大气压。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底和鳍部的步骤包括：提供初始衬底；

在所述初始衬底上形成图形化的硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述初始衬底，刻蚀后的初始衬底作为衬底，位于衬底表面的凸起作为鳍部；

在所述鳍部侧壁和顶部形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层还位于所述硬掩膜层顶部、侧壁和衬底上；

在相邻所述鳍部之间的衬底上形成前驱隔离膜的步骤中，所述前驱隔离膜顶部高于所述硬掩膜层顶部；

将所述前驱隔离膜转化为隔离膜后，去除部分厚度的隔离膜之前，所述形成方法还包括：采用平坦化工艺，去除高于所述硬掩膜层顶部的隔离膜。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离膜的工艺为干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合的工艺。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除部分厚度的隔离膜，所述湿法刻蚀工艺所采用的溶液为氢氟酸，工艺时间为4分钟至200分钟，所述氢氟酸的体积浓度比为1:3000至1:500。