[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610516729.3 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107579108B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，所述基底包括：第一区域和第二区域；在所述基底中形成隔离结构；在所述第二区域隔离结构上形成保护层；在所述第一区域基底表面形成掺杂层，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底；形成所述保护层和进行退火处理之后，去除所述掺杂层。其中，所述保护层能够在去除所述掺杂层的过程中，保护第二区域隔离结构不被减薄，从而能够保证第二区域隔离结构具有足够的厚度，进而减少半导体结构的漏电流，改善半导体体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括：第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域基底中形成隔离结构；在所述第二区域隔离结构上形成保护层；在所述第一区域基底表面形成掺杂层，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底；形成所述保护层和进行退火处理之后，去除所述掺杂层。
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