[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，所述基底包括：第一区域和第二区域；在所述基底中形成隔离结构；在所述第二区域隔离结构上形成保护层；在所述第一区域基底表面形成掺杂层，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底；形成所述保护层和进行退火处理之后，去除所述掺杂层。其中，所述保护层能够在去除所述掺杂层的过程中，保护第二区域隔离结构不被减薄，从而能够保证第二区域隔离结构具有足够的厚度，进而减少半导体结构的漏电流，改善半导体体结构性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，半导体器件向着高集成度、高质量的方向发展，半导体器件的特征尺寸相应减小。

半导体器件特征尺寸的减小，特别是栅极结构宽度的减小，使栅极结构下方沟道的长度不断减小。晶体管中沟道长度的减小增加了源漏掺杂区之间电荷穿通的可能性，并容易引起沟道漏电流。为了减小沟道漏电流，半导体结构的形成过程中，往往对栅极结构两侧的衬底进行掺杂，使衬底表面成为非晶态，形成轻掺杂区，从而减小沟道漏电流。

半导体工艺中，一般需要通过轻掺杂注入在鳍部形成所述轻掺杂区，然而，离子注入容易使鳍部顶部非晶化影响半导体器件的性能。为了减少形成轻掺杂区时离子注入对鳍部的影响，半导体结构的形成方法引入了固体源掺杂工艺。固体源掺杂工艺是通过在半导体衬底上形成掺杂层，所述掺杂层中具有掺杂离子；再通过退火工艺使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区之后，去除所述掺杂层。

然而，所述半导体结构的形成方法，容易减小半导体结构中的隔离层厚度，影响半导体结构性能。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，能够改善半导体结构性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，所述基底包括：第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域基底中形成隔离结构；在所述第二区域隔离结构上形成保护层；在所述第一区域基底表面形成掺杂层，所述掺杂层中具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一区域基底；形成所述保护层和进行退火处理之后，去除所述掺杂层。

可选的，在所述第二区域隔离结构上形成保护层之后，在所述第一区域基底表面形成掺杂层。

可选的，在所述第二区域隔离结构上形成保护层之前，在所述第一区域基底表面形成掺杂层。

可选的，所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部。

可选的，形成基底的步骤包括：提供初始衬底；图形化所述初始衬底，形成衬底和位于衬底上的鳍部；所述隔离结构位于所述鳍部之间的衬底上，并覆盖所述鳍部部分侧壁表面。

可选的，在所述第二区域隔离结构上形成保护层的步骤包括：在所述基底和隔离结构上形成初始保护层；去除第一区域基底上的初始保护层。

可选的，形成所述保护层之前，还包括：在所述第一区域基底或第二区域基底上形成栅极结构；去除第一区域基底上的初始保护层的步骤中，保留所述第一区域栅极结构侧壁的初始保护层，形成第一侧墙。

可选的，所述保护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

可选的，所述保护层的厚度为10埃～40埃。

可选的，形成所述初始保护层的工艺包括：化学气相沉积工艺或原子层气相沉积工艺。

可选的，去除第一区域基底上的初始保护层的工艺包括：各向异性干法刻蚀。

可选的，去除所述掺杂层之后，还包括去除所述保护层。