[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。半导体装置包括鳍片式ESD元件，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括半导体衬底、半导体衬底上的用于ESD元件的半导体鳍片和包绕鳍片的一部分的电极结构；在衬底结构上形成第二电介质层以覆盖电极结构，在第二电介质层中形成到电极的顶部的沟槽，沟槽在电极之上，沿着电极的纵向，并且沟槽的横向宽度小于等于电极的顶部的横向宽度；以金属材料填充沟槽，以形成在电极顶部之上并且与电极耦接的金属散热片。本发明对现有的ESD元件结构进行改进，金属散热片能够有效提高器件的散热效果，从而提高器件的性能。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置包括鳍片式ESD元件，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底、半导体衬底上的用于所述ESD元件的半导体鳍片和包绕所述鳍片的一部分的电极结构，所述电极结构包括包绕所述鳍片的所述部分的第一电介质层以及在所述第一电介质层上的电极；在所述衬底结构上形成第二电介质层以覆盖所述电极结构，在所述第二电介质层中形成到所述电极的顶部的沟槽，所述沟槽在所述电极之上，沿着所述电极的纵向，并且沟槽的横向宽度小于等于所述电极的顶部的横向宽度；以金属材料填充所述沟槽，以形成在所述电极顶部之上并且与所述电极耦接的金属散热片。