[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置包括鳍片式ESD元件，所述方法包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底、半导体衬底上的用于所述ESD元件的半导体鳍片和包绕所述鳍片的一部分的电极结构，所述电极结构包括包绕所述鳍片的所述部分的第一电介质层以及在所述第一电介质层上的电极；

在所述衬底结构上形成第二电介质层以覆盖所述电极结构，

在所述第二电介质层中形成到所述电极的顶部的多个沟槽，所述沟槽在所述电极之上，沿着所述电极的纵向，并且沟槽的横向宽度小于所述电极的顶部的横向宽度；

以金属材料填充各个所述沟槽，以形成在所述电极顶部之上并且与所述电极耦接的多个金属散热片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底结构还包括在半导体衬底上的隔离结构，所述隔离结构的上表面低于所述鳍片的上表面，所述电极结构在所述隔离结构之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二电介质层还包括用于形成电极互连的开口，所述开口与所述沟槽彼此隔离；以及

以金属材料填充所述沟槽的步骤包括以金属材料填充所述开口，以在所述开口形成电极互连。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属散热片和所述电极互连相互分离，且上表面基本平齐。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的各所述沟槽的间距大于0.04微米，并且各所述沟槽距离所述电极两侧边缘的距离大于0.05微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金属散热片的材料包括钨或铜。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括鳍片式ESD元件，所述半导体装置还包括：

衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底、半导体衬底上的用于所述ESD元件的半导体鳍片和包绕所述鳍片的一部分的电极结构，所述电极结构包括包绕所述鳍片的所述部分的第一电介质层以及在所述第一电介质层上的电极；

在所述衬底结构上的第二电介质层；

在所述第二电介质层中的在所述电极顶部之上并且与所述电极耦接的多个相间隔的金属散热片，所述金属散热片沿着所述电极的纵向，并且所述金属散热片的横向宽度小于所述电极的顶部的横向宽度。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述衬底结构还包括在半导体衬底上的隔离结构，所述隔离结构的上表面低于所述鳍片的上表面，所述电极结构在所述隔离结构之上。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二电介质层还包括电极互连，所述电极互连与所述金属散热片彼此隔离。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述金属散热片与所述电极互连相互分离，且所述金属散热片的上表面基本平齐。

11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述金属散热片中各散热片的间距大于0.04微米，并且各散热片距离所述电极两侧边缘的距离大于0.05微米。

12.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，形成所述金属散热片的金属材料包括钨或铜。