[发明专利]一种非布司他化合物及制备方法在审
| 申请号： | 201610510184.5 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107540630A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曾培安;何雄;吴健民;刘达;成中华 | 申请（专利权）人： | 康普药业股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D277/56 | 分类号： | C07D277/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 415900 湖南省常德市汉*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非布司他化合物及制备方法,其特征在于，该化合物晶型W的X射线粉末衍射在反射角为2θ时，在5.8士0.3°,7.9士0.3°,11.6士0.3°,12.7士0.3°,20.5士0.3°,25.9士0.3°处具有特征峰。该化合物以非布司他A晶原料药为原料，乙酸乙酯为溶剂，通过搅拌、加热溶解，缓慢自然降温到一定温度、析晶，抽滤、真空干燥得到所述的非布司他W晶型晶体。本发明的晶型W的重结晶方法是采用毒性很小的乙酸乙酯溶剂作为重结晶溶剂，安全性高，而且操作简便。本发明提供的新晶型W在高湿度环境下吸湿性较低，且稳定性好，不易变质，适于制成稳定的药物制剂;且水溶性较好，使得制得的药物制剂能易于被患者吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非布司 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非布司他化合物及制备方法,其特征在于，该化合物晶型W的X射线粉末衍射在反射角为2θ时，在5.8士0.3°, 7.9士0.3°, 11.6士0.3°, 12.7士0.3°, 20.5士0.3°, 25.9士0.3°处具有特征峰。
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