[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610504238.7 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252303B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/778;H01L29/872;H01L29/73;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；位于所述半导体层上的电极；位于所述半导体层上和所述电极上的介质层，所述电极一部分被所述介质层覆盖；位于所述介质层与所述电极之间的粘附层。本发明在介质层与电极上表面之间形成第一粘附层，提高了电极和介质间交界处的性能，防止介质层出现裂纹或脱落，提高了半导体器件的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；位于所述半导体层上的电极；位于所述半导体层上和所述电极上的介质层，所述电极一部分被所述介质层覆盖；位于所述介质层与所述电极上表面之间的第一粘附层；所述半导体器件还包括位于所述电极上且贴合于所述电极、所述第一粘附层和所述介质层结合处的加固层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610504238.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
