[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201610504238.7 | 申请日: | 2016-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN106252303B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 裴风丽 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L29/778;H01L29/872;H01L29/73;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司,未经苏州能讯高能半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610504238.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





