[发明专利]微电子机械系统结构形成方法

摘要

一种微电子机械系统结构形成方法，包括如下步骤提供衬底；在衬底上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积基材层；在基材层上形成金属层；图形化所述金属层，形成沟槽；沉积介质层，进行沟槽填充；在金属层上沉积多晶硅层；对多晶硅层进行处理，使多晶硅层转变成多孔多晶硅层；在多孔多晶硅层上形成光刻胶层；通过等离子体轰击的方式图形化光刻胶层和多孔多晶硅层，并去除光刻胶层；在图形化的多孔多晶硅层上沉积结构层；释放多孔多晶硅层。本发明提供的微电子机械系统结构形成方法，所制造的微电子机械系统，结构稳定、性能优良、尺寸均一，与CMOS结合时能够实现良好的接触。

主权项

一种微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：提供衬底，所述衬底的厚度介于150‑180埃；S2：在衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层的材质为氮化硅结合碳化硅，厚度介于80‑120埃，氮化硅与碳化硅的质量比为1:1.2‑1:1.75；S3：在阻挡层上沉积基材层，所述基材层的材质为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺由摩尔质量比为3:1的芳香四酸二烷酯与芳香二胺聚合而成，所述基材层的厚度介于100‑120埃；S4：在基材层上形成金属层，所述金属层为镍金属层，厚度介于100‑120埃；S5：图形化所述金属层，形成与金属层等厚的沟槽，所述沟槽的上表面积为图形化之前的金属层上表面积的30‑50％；S6：在沟槽处沉积介质层，进行沟槽填充，所述介质层的材质为结晶型二氧化硅，所述介质层的厚度与所述金属层的厚度相等；S7：在金属层上沉积多晶硅层；S8：对多晶硅层进行处理，使多晶硅层转变成多孔多晶硅层，所述多孔多晶硅层的厚度介于90‑110埃；S9：在多孔多晶硅层上形成光刻胶层，并对整个衬底、阻挡层、基材层、金属层、介质层及多孔多晶硅层进行加热处理和紫外线处理，其中，加热处理的温度为80‑90℃，时间介于30‑40min，紫外线处理中所使用的紫外线的强度为60‑70mW/cm2，时间在两小时以上；S10：通过等离子体轰击的方式图形化光刻胶层和多孔多晶硅层，并去除光刻胶层；S11：在图形化的多孔多晶硅层上沉积结构层，所述结构层的材质为碳化硅；S12：释放多孔多晶硅层。