[发明专利]微电子机械系统结构形成方法有效
| 申请号： | 201610478764.0 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106044704B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 朱小燕;刘娜;温金有;李岩;齐佳 | 申请（专利权）人： | 李岩 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 100120 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 系统 结构 形成 方法 | ||
1.一种微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：提供衬底，所述衬底的厚度介于150-180埃；
S2：在衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层的材质为氮化硅结合碳化硅，厚度介于80-120埃，氮化硅与碳化硅的质量比为1:1.2-1:1.75；
S3：在阻挡层上沉积基材层，所述基材层的材质为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺由摩尔质量比为3:1的芳香四酸二烷酯与芳香二胺聚合而成，所述基材层的厚度介于100-120埃；
S4：在基材层上形成金属层，所述金属层为镍金属层，厚度介于100-120埃；
S5：图形化所述金属层，形成与金属层等厚的沟槽，所述沟槽的上表面积为图形化之前的金属层上表面积的30-50％；
S6：在沟槽处沉积介质层，进行沟槽填充，所述介质层的材质为结晶型二氧化硅，所述介质层的厚度与所述金属层的厚度相等；
S7：在金属层上沉积多晶硅层；
S8：对多晶硅层进行处理，使多晶硅层转变成多孔多晶硅层，所述多孔多晶硅层的厚度介于90-110埃；
S9：在多孔多晶硅层上形成光刻胶层，并对整个衬底、阻挡层、基材层、金属层、介质层及多孔多晶硅层进行加热处理和紫外线处理，其中，加热处理的温度为80-90℃，时间介于30-40min，紫外线处理中所使用的紫外线的强度为60-70mW/cm2，时间在两小时以上；
S10：通过等离子体轰击的方式图形化光刻胶层和多孔多晶硅层，并去除光刻胶层；
S11：在图形化的多孔多晶硅层上沉积结构层，所述结构层的材质为碳化硅；
S12：释放多孔多晶硅层。
2.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述阻挡层的厚度介于90-100埃。
3.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述基材层的厚度介于105-115埃。
4.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述金属层的厚度介于105-115埃。
5.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述衬底的厚度介于160-165埃。
6.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述沟槽的上表面积为图形化之前的金属层上表面积的40-45％。
7.如权利要求1所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述多孔多晶硅层的厚度介于100-105埃。
8.如权利要求1-7任一项所述的微电子机械系统结构形成方法，其特征在于：所述氮化硅与碳化硅的质量比为1:1.36。
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