[发明专利]一种萝卜高产育苗方法在审
| 申请号： | 201610462115.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107535287A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 魏明哲 | 申请（专利权）人： | 魏明哲 |
| 主分类号： | A01G22/00 | 分类号： | A01G22/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 734400 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种萝卜高产育苗方法，其特点是包括整地、选种、选择播种时间、做垄、播种、幼苗管理、移栽工艺过程。它解决了目前萝卜的生产栽培中，一次性下种、间苗、定苗的方法，菜苗生长良荞不齐，萝卜产量低的问题，发明一种萝卜高产育苗方法，适应于种植萝卜使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 萝卜 高产 育苗 方法 | ||
【主权项】：
一种萝卜高产育苗方法，其特征是包括整地、选种、选择播种时间、做垄、播种、幼管理、移栽工艺过程:整地:选择非十字花科蔬菜茬口，亩施腐熟的优质农家肥3000公斤并配施适量化肥做底肥，耕透，耙细，耪平，使土壤上虚下实;选种:选用颗粒饱满的优质品种萝卜种子;选择播种时间:选择立秋后15天左右为播种时间;做垄:播前做高垄，垄宽35厘米，高20厘米，沟宽10厘米;播种:把顶垄做平，在垄顶上按行距15厘米开播种沟，沟深2厘米，在沟中浇足水分，将种子撒播于沟内，然后覆土，覆土要均匀，不能露籽；幼苗管理:当幼苗出现2片真叶时进行间苗，幼苗3‑4片真叶时定苗，保持苗距10‑15厘米;移栽:采用双株栽植，带土移栽，行距40厘米、株距20厘米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于魏明哲，未经魏明哲许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610462115.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
