[发明专利]提高碳纳米管导电膜化学掺杂稳定性的方法有效
申请号: | 201610447171.8 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN105895266B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 陈新江 | 申请(专利权)人: | 苏州汉纳材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高碳纳米管导电膜化学掺杂稳定性的方法,其包括将掺杂试剂与能够在设定条件下固化的材料均匀混合,形成呈流体状的混合试剂,之后利用所述混合试剂对碳纳米管导电膜进行掺杂处理,其后进行固化处理,在碳纳米管透明导电膜表面形成保护层;或者,以掺杂试剂对碳纳米管导电膜进行掺杂处理后,再至少在碳纳米管导电膜表面施加呈流体状的、能够在设定条件下固化的材料,之后进行固化处理,从而在碳纳米管导电膜表面形成保护层。本发明利用结构型涂层(即保护层)阻隔掺杂试剂,使掺杂试剂不与环境中的活性物质(氧化性或还原性杂质)接触,能显著提高碳纳米管导电膜的化学掺杂稳定性。 | ||
搜索关键词: | 提高 纳米 导电 化学 掺杂 稳定性 方法 | ||
【主权项】:
一种提高碳纳米管导电膜化学掺杂稳定性的方法,其特征在于包括:将掺杂试剂与热固型体系材料或光固型体系材料均匀混合,形成呈流体状的混合试剂;至少将所述混合试剂施加在碳纳米管导电膜表面,实现对碳纳米管导电膜的掺杂处理;以及在能促使所述热固型体系材料或光固型体系材料固化的条件下,使分布在所述碳纳米管导电膜上的所述混合试剂固化,在碳纳米管导电膜表面形成保护层,用以阻隔环境中的活性物质与掺杂试剂反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的