[发明专利]一种湿法黑硅制备方法

摘要

本发明提供了一种湿法黑硅制备方法，包括以下步骤将硅片浸入含添加剂的碱溶液中，对硅片抛光，以去除硅片表面损伤层；将抛光后的硅片浸入金属离子溶液中，使金属离子附着在硅片上；将附着金属离子的硅片浸入浓氢氟酸和氧化剂的混合溶液中反应，得黑硅；将黑硅浸入含添加剂或缓释剂的混合酸溶液中，即得绒面均匀的亚微米结构绒面的硅片。该方法工艺简单，制得的硅片的反射率在7‑15％，具有较低的反射率，大大提高了硅电池对光的吸收效率，从而提高了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种湿法黑硅制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将硅片浸入含添加剂的碱溶液中，对硅片抛光，以去除硅片表面损伤层；所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾，碱溶液的质量百分比浓度为0.5‑5%；添加剂的添加量为碱溶液质量的0.5‑5%；抛光时间为60‑300秒，抛光温度为50‑95℃；（2）将抛光后的硅片浸入金属离子溶液中，使金属离子附着在硅片上；金属离子为金离子、铂离子、钯离子、铜离子、镍离子和钴离子的任意两种的组合；金属离子溶液的浓度为0.00001–0.05mol/L；附着过程中，还加入浓氢氟酸和分子量5000‑20000的高分子聚合物，所述高分子聚合物的浓度为5‑50 ppm，所述浓氢氟酸的质量百分比浓度为0.1‑3.0%wt；附着时间为15‑300秒；（3）将附着金属离子的硅片浸入浓氢氟酸和氧化剂的混合溶液中反应，得黑硅；所述氧化剂选自O3、CO2、K2Cr2O7、CrO3、KIO3、KBrO3、NaNO3、HNO3，KMnO4的一种或几种的组合；所述浓氢氟酸与氧化剂的摩尔比为7:1‑ 1：5；反应时间为15‑300秒，反应温度为10‑50oC；（4）将黑硅浸入含添加剂或缓释剂的混合酸溶液中，即得绒面均匀的亚微米结构绒面的硅片；所述混合酸溶液为质量比1:2:7‑1：9：20的浓氢氟酸、浓硝酸和水的混合，所述浓氢氟酸为质量百分比浓度49%的氢氟酸，所述浓硝酸为质量百分比浓度69%的硝酸；所述添加剂或缓释剂的添加量为混合酸溶液的1‑3%；制绒时间为15‑300秒；其中，所述添加剂包含的组分为：重量百分比为 0.05‑1％的蛋白质，重量百分比为 0.01‑1％的洗涤剂，重量百分比为0.001％‑0.003％的维生素、阿胶、茶多酚中取一种或它们的组合以及余量的水，所述蛋白质是从含蛋白质 85％以上的食用蛋白粉或者食品发泡剂中选取一种或它们的组合；其中，所述缓释剂包括重量百分数为0.0001‑75％的表面催化剂，及余量的水。