[发明专利]一种湿法黑硅制备方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，特别涉及一种湿法黑硅制备方法。

背景技术

硅片表面入射光的反射大大降低了硅太阳能电池的效率(电流)。如果硅电池片表面不进行减反射处理，那么，大约40％的太阳光将会失去。这种抗反射效果在整个太阳能谱和在各种各样的入射光角度必须是有效的。

目前，在晶体硅光伏电池上的减反射通过几个不同的技术。对于单晶硅，各向异性(金字塔)纹理蚀刻硅单晶的反射率减少到大约5-15％上面向100单结晶硅，但主要在接近90°角的入射光而不是低入射角的反射率。这种技术也会消耗大量的硅材料，使它无法实际应用于薄膜硅太阳能电池。对于多晶硅，采用酸性各向同性腐蚀方法得到小坑状绒面，使表面反射率减少至15-20％。随着硅片切割技术的发展，金刚线切割硅片技术由于其成本和环保优势将取代砂浆线成为硅片生产工艺的主流。然而，金刚线切割多晶硅片制绒成为约束约束金刚线切割多晶硅在电池制造中推广的主要因素。

对金刚线切割硅片制绒曾有不同的尝试。

专利CN104328503A公开了一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法，其主要特征在于采用混合酸溶液对硅片表面进行处理，使硅片表面形成多孔结构。

专利CN 104962998 A提供一种基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法，其包括如下步骤：a)将浓氢氟酸溶液、过氧化氢溶液、金属盐和水混合得到预处理液；b)将金刚线切割的硅片置于所述预处理液中进行预处理a，直到基本去除硅片上的切割纹。

专利CN104576830提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液，所述制绒处理液包括第一处理液和第二处理液A或B，第一处理液为浓氢氟酸、双氧水、金属盐和水的混合溶液，所述处理液A包括硝酸和强碱，所述处理液B为硝酸、浓氢氟酸和水的混合溶液；上述预处理方法对金刚线切割硅片的制绒产生很大改进作用，但是得到的硅片电池在表面均匀性和降反射率方面与砂浆线切割多晶硅相比仍然有显著差异。

专利CN105304734提供了一种多晶硅片制绒辅助剂及其应用方法，该辅助剂由银诱导剂、氧化剂、缓冲剂、分散剂以及去离子水组成。将该辅助剂加入由浓氢氟酸和硝酸混合液组成的传统的各向同性制绒液中，然后将多晶硅片浸入该制绒液中，硅片表面将 发生各向同性腐蚀和各向异性腐蚀，从而得到了反射率低于10％的同向腐蚀坑和异向倒金字塔形貌共存的硅表面。

CN104393114公开了一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法，首先将多晶硅片置入腐蚀溶液中，制备获得具有微米绒面结构的多晶硅片；然后将其置入金属离子化合物溶液中在微米绒面上沉积金属纳米颗粒，接着将其置于刻蚀溶液中进行刻蚀获得具有微纳复合绒面结构的多晶硅片；清洗去除表面残留的金属颗粒后，最后将其置于碱性溶液进行微纳复合绒面结构修正刻蚀。

然而，以上这些方法得到的绒面具有微米、纳米混合的结构，在均匀性和电性能方面存在其局限性。

发明内容

技术问题：为了解决现有技术的缺陷，本发明提供了一种湿法黑硅制备方法。

技术方案：本发明提供的一种湿法黑硅制备方法，包括以下步骤：

(1)将硅片浸入含添加剂的碱溶液中，对硅片抛光，以去除硅片表面损伤层；

(2)将抛光后的硅片浸入金属离子溶液中，使金属离子附着在硅片上；

(3)将附着金属离子的硅片浸入浓氢氟酸和氧化剂的混合溶液中反应，得黑硅；

(4)将黑硅浸入含添加剂或缓释剂的混合酸溶液中制绒，即得绒面均匀的亚微米结构绒面的硅片。

步骤(1)中，所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾，碱溶液的质量百分比浓度为0.5-5％；添加剂的添加量为碱溶液质量的0.5-5％，加入添加剂避免腐蚀过程中粘泡导致不清洁表面；抛光时间为60-300秒，抛光温度为50-95℃。

步骤(2)中，金属离子为金离子、银离子、铂离子、钯离子、铜离子、镍离子和钴离子的任意两种的组合；金属离子溶液的浓度为0.00001-0.05mol/L。

步骤(2)中，附着过程中，还加入浓氢氟酸和分子量5000-20000的高分子聚合物，所述高分子聚合物的浓度为5-50ppm，所述浓氢氟酸的质量百分比浓度为0.1-3.0％wt；附着时间为15-300秒。