[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610436275.9 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN105895713B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 杨荣;任明冲;张林;王进;代玲玲;张树旺;李宝胜;蔡明;李立伟;孟原;郭铁 申请(专利权)人: 新奥光伏能源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/18
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 065001 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的硅异质结太阳能电池包括晶硅衬底;非晶硅层;前电极;其中,前电极包括第一透明电极和第一金属电极;背电极;其中,背电极包括第二透明电极和第二金属电极;以及,其中,第一透明电极和/或第二透明电极为金属硅化物膜。根据本发明的硅异质结太阳能电池的制备方法包括非晶硅层沉积步骤;透明电极生成步骤;金属电极沉积步骤。根据本发明方法制备得到的硅异质结太阳能电池的透明电极为金属硅化物膜,其化学稳定性和热稳定性良好,因此硅异质结太阳能电池使用寿命长,光电转换效率高。
搜索关键词: 一种 硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种硅异质结太阳能电池,其特征在于,该电池包括:晶硅衬底;非晶硅层,所述非晶硅层沉积在所述晶硅衬底的第一面和第二面;前电极,所述前电极设置在所述晶硅衬底第一面的非晶硅层上;其中,所述前电极包括:第一透明电极,所述第一透明电极沉积在所述晶硅衬底第一面的非晶硅层上;第一金属电极,所述第一金属电极沉积在所述第一透明电极上;背电极,所述背电极设置在所述晶硅衬底第二面的非晶硅层上,其中,所述背电极包括:第二透明电极,所述第二透明电极沉积在所述晶硅衬底第二面的非晶硅层上;第二金属电极,所述第二金属电极沉积在所述第二透明电极上;以及,其中,所述第一透明电极和/或所述第二透明电极为金属硅化物膜;所述金属硅化物膜的厚度为100~500nm。
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