[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，该电池包括：

晶硅衬底；

非晶硅层，所述非晶硅层沉积在所述晶硅衬底的第一面和第二面；

前电极，所述前电极设置在所述晶硅衬底第一面的非晶硅层上；其中，所述前电极包括：第一透明电极，所述第一透明电极沉积在所述晶硅衬底第一面的非晶硅层上；第一金属电极，所述第一金属电极沉积在所述第一透明电极上；

背电极，所述背电极设置在所述晶硅衬底第二面的非晶硅层上，其中，所述背电极包括：第二透明电极，所述第二透明电极沉积在所述晶硅衬底第二面的非晶硅层上；第二金属电极，所述第二金属电极沉积在所述第二透明电极上；以及，

其中，所述第一透明电极和/或所述第二透明电极为金属硅化物膜；

所述金属硅化物膜的厚度为100～500nm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属硅化物膜由金属硅化物组成，所述金属硅化物为M_xSi_y；其中，M表示金属元素，x和y均选自1～8的自然数。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属元素选自下述中的至少一种：镍、钛、钨、钴、锆和钽。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属元素为镍时，所述金属硅化物选自下述中的至少一种：硅化二镍、硅化镍和二硅化镍。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一透明电极和第一金属电极之间沉积有第一金属膜；和/或

在所述第二透明电极和所述第二金属电极之间沉积有第二金属膜。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属膜的厚度为5-20nm，所述第二金属膜的厚度为100-500nm。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属膜和所述第二金属膜由银或铝沉积得到。

8.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

非晶硅层沉积步骤：在晶硅衬底第一面和第二面均沉积非晶硅层；

透明电极生成步骤：在晶硅衬底第一面的非晶硅层上沉积金属层，沉积的金属层与晶硅衬底第一面的非晶硅层发生固相反应生成金属硅化物膜，得到第一透明电极；和/或，在晶硅衬底第二面的非晶硅层上沉积金属层，沉积的金属层与晶硅衬底第二面的非晶硅层发生固相反应生成金属硅化物膜，得到第二透明电极；

金属电极沉积步骤：在所述第一透明电极上沉积第一金属电极，和在所述第二透明电极上沉积第二金属电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述透明电极生成步骤，在沉积金属层时，粒子能为5～200ev。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述透明电极生成步骤中，所述固相反应为退火反应，所述退火反应发生的条件为：在惰性气体存在下，在压强为1标准大气压、温度为25-240℃时，反应1～24h。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体选自下述中的至少一种：氩气、氦气、氖气、氪气和氙气。

12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，该方法还包括：

金属膜沉积步骤：在所述第一透明电极和所述第一金属电极之间沉积第一金属膜；和/或

在所述第二透明电极和所述第二金属电极之间沉积第二金属膜。