[发明专利]一种各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610429162.6 申请日: 2016-06-16
公开(公告)号: CN106082111B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 成中军;张恩爽;刘宇艳;吕通;王友善 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;C09D163/00
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法,其步骤如下一、以PDMS作为中间模板,制备形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面;二、设计不同宽度的硅微沟槽模板对步骤一所制备的微米阵列进行热压印,冷却后,制备出具有不同宽度的微沟槽结构的微米阵列;三、通过热触发具有微沟槽结构的微米阵列使材料回复至初始微阵列超疏水表面。本发明采用模板法结合压印法制备的各向异性可切换超疏水表面的微结构尺度为10*10*10μm,间距为5~30μm,微沟槽压印后,表面的静态各向异性接触角差值可达2~5°,滚动角之差可达到2~50°。
搜索关键词: 一种 各向同性 各项 异性 切换 疏水 表面 制备 方法
【主权项】:
一种各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法,其特征在于所述制备方法步骤如下:一、以PDMS作为中间模板,制备形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面,该表面显示出各向同性超疏水性;二、设计具有不同宽度的硅微沟槽的模板对步骤一所制备的微米阵列进行热压印,冷却后,制备出具有不同宽度的微沟槽结构的微米阵列,该阵列表现出各向异性超疏水性;三、通过热触发具有微沟槽结构的微米阵列使材料回复至形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面,各向异性超疏水性恢复至各向同性超疏水性。
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