[发明专利]一种各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法

权利要求书

1.一种各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤如下：

一、以PDMS作为中间模板，制备形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面，该表面显示出各向同性超疏水性；

二、设计具有不同宽度的硅微沟槽的模板对步骤一所制备的微米阵列进行热压印，冷却后，制备出具有不同宽度的微沟槽结构的微米阵列，该阵列表现出各向异性超疏水性；

三、通过热触发具有微沟槽结构的微米阵列使材料回复至形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面，各向异性超疏水性恢复至各向同性超疏水性。

2.根据权利要求1所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述步骤一的具体步骤如下：

将双酚A缩水甘油醚环氧树脂E-51、正辛胺、间苯二甲胺以4:1～2:1～2的摩尔比混合，将混合的预聚物浇筑在PDMS中间模板上，脱模后制得形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面。

3.根据权利要求1或2所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述微米阵列为方形阵列，长宽高为10*10*10 μm ，间距为5～30 μm。

4.根据权利要求1所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述步骤二的具体步骤如下：

首先将形状记忆环氧树脂微米阵列超疏水表面加热至Tg温度以上，然后使用具有不同宽度的硅微沟槽的模板在一定载荷下表面进行热压印，在载荷下将温度降低至Tg以下，撤去载荷，临时形状固定。

5.根据权利要求4所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述硅微沟槽的宽度为140～340 μm。

6.根据权利要求4所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述硅微沟槽的宽度为140 μm、180 μm、220 μm、260 μm、300 μm或340 μm。

7.根据权利要求4所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述载荷大小为2～5Mpa。

8.根据权利要求1所述的各向同性和各项异性可切换超疏水表面的制备方法，其特征在于所述步骤三的具体步骤如下：

将具有不同宽度的微沟槽结构的微米阵列表面加热至Tg以上，材料形状回复至永久形状。