[发明专利]半导体晶体管元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610421311.4 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107492572B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 周志飚;陈鼎龙;张兴华 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/482;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体晶体管元件及其制作方法。该半导体晶体管元件，包含一半导体基底，具有一主动区域及围绕主动区域的沟槽绝缘区域、一栅极氧化层、一栅极、一间隙壁，设于栅极侧壁上、一掺杂区，设于主动区域内位于栅极一侧、一绝缘盖层，覆盖栅极、间隙壁及掺杂区、一重布接触层，位于绝缘盖层上。重布接触层由主动区域延伸至沟槽绝缘区域上。一接触插塞，设于沟槽绝缘区域上，经由重布接触层电连接至栅极或掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管元件，包含：半导体基底，其上具有主动区域及围绕该主动区域的沟槽绝缘区域；栅极氧化层，设于该主动区域上；栅极，设于该栅极氧化层上；间隙壁，设于该栅极的一侧壁上；源极掺杂区，设于该主动区域内并位于该栅极的一侧；漏极掺杂区，设于该主动区域内并位于该栅极的另一侧；绝缘盖层，覆盖该栅极、该间隙壁、该源极掺杂区与该漏极掺杂区；重布接触层，位于该绝缘盖层上，其中该重布接触层由该主动区域延伸至该沟槽绝缘区域上方；以及接触插塞，设于该沟槽绝缘区域上方的该重布接触层上，并经由该重布接触层电连接至该栅极、该源极掺杂区及该漏极掺杂区的至少之一者。
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