[发明专利]提高空穴注入的LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种提高空穴注入的LED外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长温度两段渐变的掺Mg的InGaNMg层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。如此方案，在多量子阱层生长完成之后，生长一层具有温度两段渐变的掺Mg的InGaNMg层结构，既提高了空穴浓度，又提高了空穴迁移率，进而有利于提高量子阱区域的空穴注入水平，降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。

主权项

一种提高空穴注入的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，其特征在于，在所述生长多量子阱MQW发光层之后，且在所述生长P型AlGaN层之前，还包括：生长温度两段渐变的掺Mg的InGaN:Mg层，所述生长温度两段渐变的掺Mg的InGaN:Mg层，进一步为：向反应腔通入TMIn、TMGa及Cp2Mg作为MO源，并通入NH3，生长厚度为20nm‑120nm的一层温度两段渐变的掺Mg的InGaN:Mg层，生长过程中，首先将生长温度从温度T1渐变升高到温度T2，再将生长温度从温度T2渐变降低至温度T1，将反应腔压力控制在100Torr‑500Torr，其中，700℃＜T1＜850℃，750℃＜T2＜900℃，且T2＞T1，生长温度从T1渐变升高到T2时与生长温度从T2渐变降低到T1时生长InGaN:Mg层的厚度相同，厚度为10nm‑60nm，生长过程中，通入NH3和TEGa的摩尔量比为300‑5000，Mg的摩尔组分为0.3％‑1％，In的摩尔组分为1％‑10％。