[发明专利]栅控二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610407349.6 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107492569B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/328;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅控二极管及其形成方法，所述栅控二极管包括：衬底，所述衬底上具有鳍部；位于所述鳍部表面的第一栅极结构；位于所述第一栅极结构两侧鳍部内的第一掺杂区和第二掺杂区；位于所述第一掺杂区表面上的第一连接插塞，所述第一连接插塞覆盖所述第一栅极结构露出的所述第一掺杂区表面；位于所述第二掺杂区表面上的第二连接插塞。本发明还提供形成上述栅控二极管的方法。本发明通过形成覆盖第一掺杂区表面的第一连接插塞，增大了第一连接插塞与第一掺杂区的接触面积，有效的增大了第一连接插塞与第一掺杂区交界面电流通道的宽度，改善了第一连接插塞与第一掺杂区交界面电流拥堵问题，提高了所形成栅控二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅控二极管，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底上具有鳍部；/n位于所述鳍部表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述鳍部，覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面；/n位于所述第一栅极结构两侧鳍部内的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一类型掺杂离子，所述第二掺杂区内具有第二类型掺杂离子；/n位于所述第一掺杂区表面上的第一连接插塞，所述第一连接插塞为栅控二极管的电流输入端，所述第一连接插塞覆盖所述第一栅极结构露出的所述第一掺杂区表面；/n位于所述第二掺杂区表面上的第二连接插塞，所述第二连接插塞为栅控二极管的电流输出端。/n
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