[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件和电子装置在审
| 申请号： | 201610399410.7 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481968A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多层交错堆叠的层间介电层和虚拟介电层，所述虚拟介电层形成于相邻的层间介电层之间，在所述层间介电层以及虚拟介电层中形成有沟槽，所述沟槽露出所述衬底；在所述沟槽的侧壁上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层和所述沟槽底部露出的所述半导体衬底表层的氧化层；在所述沟槽底部的所述半导体衬底上形成半导体层。该制作方法可以可以保护层间介电层不受损伤，因而不会使沟道开孔的关键尺寸扩大，也不会影响沟道开孔的侧壁粗糙度，进而使最终器件的性能更好。该半导体器件和电子装置具有更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多层交错堆叠的层间介电层和虚拟介电层，所述虚拟介电层形成于相邻的层间介电层之间，在所述层间介电层以及虚拟介电层中形成有沟槽，所述沟槽露出所述衬底；在所述沟槽的侧壁上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层和所述沟槽底部露出的所述半导体衬底表层的氧化层；在所述沟槽底部的所述半导体衬底上形成半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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