[发明专利]发光二极管结构、组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610393727.X | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107464859A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 简伊辰;徐世昌 | 申请（专利权）人： | 光宝光电（常州）有限公司;光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张福根,冯志云 |
| 地址： | 213161 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供一种发光二极管结构的制造方法及使用此方法制造的发光二极管结构及组件。方法包括将一覆晶式芯片通过一可移除的预填充层接合于一暂时基板上，激光剥离所述覆晶式芯片的成长基板，再将上述的结构与一透光的支撑体接合后，移除所述暂时基板以及所述预填充层。本发明的方法能够降低整体发光二极管结构的高度，解决上述雷射激光剥离之后产生的变形及塌陷的问题，减少翘曲问题，进而提升发光二极管组件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一覆晶式芯片，该覆晶式芯片具有一成长基板、以及一形成于该成长基板上的磊晶结构；提供一可移除的预填充材料，用以将所述覆晶式芯片接合于一暂时基板，而形成一预填充层于该覆晶式芯片与该暂时基板之间的空隙；对该覆晶式芯片的该成长基板进行激光剥离；粗化所述磊晶结构的一半导体层；粘贴一具有波长转换材料的支撑体于所述半导体层上；以及移除所述暂时基板以及所述预填充层。
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