[发明专利]发光二极管结构、组件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一覆晶式芯片，该覆晶式芯片具有一成长基板、以及一形成于该成长基板上的磊晶结构；

提供一可移除的预填充材料，用以将所述覆晶式芯片接合于一暂时基板，而形成一预填充层于该覆晶式芯片与该暂时基板之间的空隙；

对该覆晶式芯片的该成长基板进行激光剥离；

粗化所述磊晶结构的一半导体层；

粘贴一具有波长转换材料的支撑体于所述半导体层上；以及

移除所述暂时基板以及所述预填充层。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述预填充材料为胶体状材料，黏度介于300～3500cP。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述预填充材料选自下列群组的其中一个：镓金属、硅胶、聚二甲基硅氧烷、热敏胶材、或光敏胶材。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述粗化所述磊晶结构的所述半导体层的流程，至少包括下列步骤其中之一：

以碱性氢氧化物进行湿式蚀刻，直到所述半导体层表面生成的角锥占表面积20％以上；以及

利用紫外光或热能辅助蚀刻，以增加形成角锥。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述湿式蚀刻的流程包括下列步骤：

浸泡已移除所述成长基板的所述覆晶式芯片于氢氧化钾的溶液中；以及

取出所述覆晶式芯片，并以去离子水超音波震荡。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述粘贴所述支撑体于所述半导体层上的流程包括至少下列步骤其中之一：

以包含波长转换材料的胶材覆盖于所述磊晶结构上，固化所述胶材而形成接合所述磊晶结构的所述支撑体，其中该支撑体固化后硬度大于萧氏硬度D40；或

以包含波长转换材料的荧光粉片贴合于所述磊晶结构上，其中所述荧光粉片固化后硬度大于萧氏硬度D40，且所述荧光粉片的尺寸大于或等于所述覆晶式芯片的尺寸。

7.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为镓金属，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

将所述发光二极管结构浸泡于100℃的水中一段时间以上；以及

选择性观察，若有残余的镓金属，以盐酸清理所述发光二极管结构。

8.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为硅胶，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

夹取所述发光二极管结构离开所述硅胶。

9.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为聚二甲基硅氧烷，所述移除所述暂时基板的流程，包括下列步骤：

以胶膜取下所述发光二极管结构离开所述聚二甲基硅氧烷；以及

选择性观察，若有残胶，以丙酮清理所述发光二极管结构。

10.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为热敏胶材，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

加热所述热敏胶材，直到固化解粘状态；以及

吸取所述发光二极管结构离开所述热敏胶材。

11.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为光敏胶材，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

以一选定的光线照射所述光敏胶材，直到固化解粘状态；以及

吸取所述发光二极管结构离开所述光敏胶材。

12.一种发光二极管结构，其特征在于，其是利用权利要求1-11中任一项所述的发光二极管结构的制造方法所制成的。

13.一种发光二极管组件，其特征在于，包含：

一导电基板；以及

如权利要求12所述的发光二极管结构固定于该导电基板上。

14.如权利要求13所述的发光二极管组件，其特征在于，还包含：

一反射墙包覆所述发光二极管结构的侧面，使得视角小于或等于120度。