[发明专利]集成超高压电阻的集成电路器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610389667.4 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107464852A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 石金成;马万里;高振杰;李杰英;崔永军 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605;H01L29/06;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成超高压电阻的集成电路器件及其制作方法，方法包括在衬底中形成N型阱区和P型阱区，在N型阱区及P型阱区表面部分区域形成场氧化层；在场氧化层上预制作高压电阻的区域形成氮化硅层和覆盖该氮化硅层的氧化硅层；在衬底未被场氧化层覆盖区域形成栅氧化层；在氧化硅层、N型阱区上的栅氧化层及P型阱区上的栅氧化层上分别形成无掺杂多晶硅；对氧化硅层上的无掺杂多晶硅进行掺杂，形成高阻多晶硅，并对栅氧化层上的无掺杂多晶硅进行掺杂，形成低阻多晶硅。上述方法能在集成电路中集成耐受500V以上电压的高压电阻，节省封装成本，提升模块可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 超高压 电阻 集成电路 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成超高压电阻的集成电路器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底中形成N型阱区和P型阱区，并在所述N型阱区和所述P型阱区表面的部分区域形成场氧化层；在所述场氧化层上预制作高压电阻的区域形成氮化硅层和覆盖所述氮化硅层的氧化硅层；在所述衬底未被所述场氧化层覆盖的区域形成栅氧化层；在所述氧化硅层、所述N型阱区上的栅氧化层以及所述P型阱区上的栅氧化层上分别形成无掺杂多晶硅；对所述氧化硅层上形成的无掺杂多晶硅进行掺杂，形成高阻多晶硅，并对所述栅氧化层上形成的无掺杂多晶硅进行掺杂，形成低阻多晶硅。
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