[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610388842.8 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107464744B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 宋长庚;曹恒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一连接结构，相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；在所述第一介质层上内核层两侧形成第二介质层，所述第二介质层呈折线状，所述第二介质层围绕所述第一切断区处形成第二切断区；去除所述内核层；在所述第二切断区上形成掩膜层；以所述掩膜层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层形成沟槽，暴露出衬底；去除所述掩膜层和第二介质层，在第一介质层中形成最终切断区；在所述沟槽中形成金属层。掩膜层在形成时可以有着更大的OVL和CD允许范围，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；/n在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一个连接结构，部分相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；/n在所述第一介质层上内核层两侧形成第二介质层，所述第二介质层呈折线状，所述第二介质层围绕所述第一切断区处形成第二切断区；/n去除所述内核层；/n在所述第二切断区上形成掩膜层，所述掩膜层位于所述第二切断区的内部且不与所述第二切断区的边缘重合；/n以所述掩膜层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层形成沟槽，暴露出衬底；/n去除所述掩膜层和第二介质层，在第一介质层中形成最终切断区；/n在所述沟槽中形成金属层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
