[发明专利]一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极有效
| 申请号： | 201610361902.7 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437500B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极，其中，多晶硅栅极的制造方法包括：在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；对外露的所述多晶硅层进行氧化，得到氧化层；去除所述氮化硅层，并在露出的所述多晶硅层上生成硅化物，形成多晶硅栅极。本发明提供的方案通过在刻蚀多晶硅时保留一定的余量，然后通过氧化将其转化为二氧化硅(氧化层)，能够保证多晶硅层下方任何位置处的栅氧化层都不会被损伤到，简化了制作工艺；同时保留了完整的栅氧化层，不会存在交界，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅极的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；对外露的所述多晶硅层进行氧化，得到氧化层；去除所述氮化硅层，并在露出的所述多晶硅层上生成硅化物，形成多晶硅栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
