[发明专利]一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极

权利要求书

1.一种多晶硅栅极的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；

对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；

对外露的所述多晶硅层进行氧化，得到氧化层；

去除所述氮化硅层，并在露出的所述多晶硅层上生成硅化物，形成多晶硅栅极；

其中，在所述在露出的所述多晶硅层上生成硅化物后，还包括：

对所述硅化物进行热处理。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在露出的所述多晶硅层上生成硅化物，形成多晶硅栅极的步骤包括：

在所述氧化层和露出的所述多晶硅层上生成金属层，所述金属层的金属能够与硅反应，且生成物的电阻小于预设阈值；

通过热处理使所述金属层与接触的所述多晶硅层进行反应，生成硅化物；

去除未发生反应的所述金属层，形成多晶硅栅极。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长温度范围为900～1200℃，厚度范围为0.01～1.0um；所述多晶硅层的生长温度范围为500～700℃，厚度范围为0.05～2.0um；所述氮化硅层的生长温度范围为500～1000℃，厚度范围为0.01～2.0um。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预设厚度的范围为0.01～0.1um。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对外露的所述多晶硅层进行氧化的温度范围为700～1200℃。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述氮化硅层的步骤包括：

采用大于预设浓度的热磷酸腐蚀掉所述氮化硅层。

7.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述氧化层和露出的所述多晶硅层上生成金属层的步骤包括：

采用溅射的方式生长所述金属层，所述金属层的厚度范围为0.01～0.50um。

8.如权利要求2或7所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的材质为钛、钴或镍。

9.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通过热处理使所述金属层与接触的所述多晶硅层进行反应，生成硅化物的步骤包括：

在650～750℃的温度下进行热处理，热处理的时间范围为20～40s。

10.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述去除未发生反应的所述金属层的步骤包括：

采用硫酸和双氧水的混合液，或者氨水和双氧水的混合液腐蚀掉未发生反应的所述金属层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述硅化物进行热处理的步骤包括：

在850～900℃的温度下进行热处理，热处理的时间范围为20～40s。

12.一种多晶硅栅极，其特征在于，所述多晶硅栅极采用如权利要求1至11任一项所述的制造方法制备得到。