[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610350858.X | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826441B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;叶大千;张东炎;刘晓峰;高文浩;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管由下至上依次包括缓冲层、非掺氮化物层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层；其中电子阻挡层由下至上依次为生长模式渐变的AlGaN层、P型氮化镓合并层，AlGaN层由二维生长模式向三维生长模式渐变，该结构在实现电子有效阻档的同时降低了空穴注入势垒，二维AlGaN层所形成的势垒对大部分电子实现了有效阻挡，渐变至三维生长模式时形成了孔洞；而P型氮化镓合并层在填充AlGaN层所形成孔洞时形成了空穴注入点，空穴倾向于从注入点遂穿至发光区，从而提高了空穴注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：N型层、发光层、电子阻挡层和P型层，其特征在于：所述电子阻挡层由下至上依次为AlGaN层、P型氮化镓合并层，所述AlGaN层由二维结构生长渐变至三维结构，在渐变至三维生长模式时形成孔洞，P型氮化镓合并层填充所述孔洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610350858.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：白光芯片的成型制备方法和系统
- 下一篇：一种发光二极管芯片及其制备方法
