[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610350858.X | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826441B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;叶大千;张东炎;刘晓峰;高文浩;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.发光二极管，包括：N型层、发光层、电子阻挡层和P型层，其特征在于：所述电子阻挡层由下至上依次为AlGaN层、P型氮化镓合并层，所述AlGaN层由二维结构生长渐变至三维结构，在渐变至三维生长模式时形成孔洞，P型氮化镓合并层填充所述孔洞。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述二维结构的AlGaN层所形成的势垒对大部分电子实现了有效阻挡。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型氮化镓合并层在填充所述AlGaN层中的孔洞时形成空穴注入点，空穴倾向于从所述空穴注入点遂穿至发光层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述AlGaN层Al组分保持不变。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述AlGaN层Al组分呈现递减趋势。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型氮化镓合并层Mg掺杂浓度保持一致。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型氮化镓合并层Mg掺杂浓度递减。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型氮化镓合并层Mg掺杂最高浓度不高于P型层Mg掺杂浓度。
9.发光二极管的制作方法，包括步骤：
1）依次生长缓冲层，非掺氮化物层、N型层、发光层；
2）随后生长电子阻挡层，首先调整反应室压力至70 torr、温度设定1000℃、转速设定500rpm/h，生长二维模式AlGaN层；
3）控制反应室压力、温度、转速分别渐变至300 torr、700℃、1000 rpm/h，AlGaN生长过程中，其生长模式从二维渐变至三维，并形成孔洞；
4）调整反应室的压力至500 torr、温度为970℃、转速为1200rpm/h，使反应室利于二维模式生长，通入Mg源，生长P型氮化镓合并层填充步骤3）中形成的孔洞；
在所述电子阻挡层上生长P型层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：通过调整Al源、Ga源通入量，实现所述AlGaN层的Al组分渐变或突变。
11.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：通过调整Mg源通入量，实现Mg掺杂含量一致或递增。
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