[发明专利]一种半导体设备前端处理装置有效
申请号: | 201610349539.7 | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN107424895B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 彭宇霖 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体设备前端处理装置。该半导体设备前端处理装置包括微环境提供腔室,用于为置于其中的基片提供均匀气流环境,微环境提供腔室的一端开设有气流入口,还包括吹扫机构,吹扫机构连接在气流入口,用于向微环境提供腔室内输入吹扫气流。该半导体设备前端处理装置能够避免经刻蚀后进入到微环境提供腔室中的基片表面残留的卤素气体及其化合物与水汽发生冷凝反应,从而避免在基片的表面形成冷凝颗粒,进而避免了冷凝颗粒对微环境提供腔室内的零部件形成腐蚀,延长了微环境提供腔室内部零部件的使用寿命,同时还避免了冷凝颗粒对刻蚀后的基片造成不良影响,提高了基片的刻蚀良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 前端 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体设备前端处理装置,其特征在于,包括微环境提供腔室,用于为置于其中的基片提供均匀气流环境,所述微环境提供腔室的一端开设有气流入口,所述前端处理装置还包括吹扫机构,所述吹扫机构连接在所述气流入口,用于向所述微环境提供腔室内输入吹扫气流。
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