[发明专利]一种半导体设备前端处理装置

权利要求书

1.一种半导体设备前端处理装置，其特征在于，包括微环境提供腔室，用于为置于其中的基片提供均匀气流环境，所述微环境提供腔室的一端开设有气流入口，所述前端处理装置还包括吹扫机构，所述吹扫机构连接在所述气流入口，用于向所述微环境提供腔室内输入吹扫气流，所述吹扫气流为惰性气体；所述吹扫机构包括匀流腔，所述匀流腔为完全封闭式腔体，所述匀流腔的出口连接于所述气流入口，用于向所述微环境提供腔室内输入均匀气流；

其中，所述微环境提供腔室能与大气环境连通，且所述吹扫气流的压力大于所述微环境提供腔室外部的气体压力，以使所述微环境提供腔室外部的水汽无法进入到所述微环境提供腔室中，避免残留在所述基片表面的卤素气体及其化合物与水汽发生冷凝反应。

2.根据权利要求1所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述匀流腔内还设置有匀流板，所述匀流板设置在所述匀流腔的入口处，用于使从所述匀流腔的入口输入到所述匀流腔内部的气流均匀扩散。

3.根据权利要求2所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述匀流板包括板体和开设在所述板体上的多个通孔，多个所述通孔的形状大小相同，且多个所述通孔在所述板体上均匀分布。

4.根据权利要求2所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述吹扫机构还包括压力表和调压阀，所述压力表的输出端连接于所述匀流腔的入口，所述压力表的输入端连接所述调压阀的输出端；所述调压阀用于调节输入到所述匀流腔内的吹扫气流的压力；所述压力表用于显示所述调压阀对吹扫气流压力的调节。

5.根据权利要求4所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述吹扫机构还包括开关阀，所述开关阀的一端连接所述调压阀，另一端连接吹扫气流的提供源，所述开关阀用于开启或关闭所述提供源，所述提供源用于向所述微环境提供腔室提供惰性气体。

6.根据权利要求5所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述吹扫机构还包括水雾过滤器，所述水雾过滤器的入口连接所述提供源，所述水雾过滤器的出口连接所述开关阀；所述水雾过滤器用于对所述提供源提供的吹扫气体中的水汽进行过滤。

7.根据权利要求4所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述吹扫机构还包括质量流量计，所述质量流量计的输入端连接所述压力表的输出端，所述质量流量计的输出端连接所述匀流腔的入口，所述质量流量计用于控制输入至所述匀流腔的吹扫气流的流量。

8.根据权利要求4所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述吹扫机构还包括限流器，所述限流器的输入端连接所述压力表的输出端，所述限流器的输出端连接所述匀流腔的入口，所述限流器用于控制输入至所述匀流腔的吹扫气流的流量。

9.根据权利要求1所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述匀流腔采用不锈钢材质。

10.根据权利要求1所述的半导体设备前端处理装置，其特征在于，所述微环境提供腔室内设置有风扇，所述风扇对应设置于所述气流入口处，所述风扇转动时，可以使输入至所述微环境提供腔室内的吹扫气流的压力大于所述微环境提供腔室外部的气体压力。