[发明专利]一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法

摘要

本发明提供一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法，包括：首先制备铜镍合金衬底；然后提供一金属片，将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内，其中，所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处；最后往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH₄的混合气氛，并且设置在一定压强和温度下，在所述铜镍合金上生长获得少层石墨烯。本发明利用高温下金属片产生的大量金属蒸气，在铜镍合金衬底表面形成一层富金属层，同时利用铜镍合金快速生长高质量石墨烯的特点，通过调节优化生长参数，达到快速生长层数可控石墨烯的目的。本发明方法操作简单，成本低，可重复性好，为双层石墨烯在光电器件等领域的应用和工业化发展打下了基础。

主权项

一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)制备铜镍合金衬底；2)提供一金属片，将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内，其中，所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处；3)往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH₄的混合气氛，并且设置在一定压强和温度下，在所述铜镍合金衬底上生长获得少层石墨烯。