[发明专利]低温外延方法及设备在审
| 申请号： | 201610327612.0 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107393816A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温外延方法及设备，所述低温外延设备采用紫外光源，通过对反应源气体进行裂解的方式实现外延，所述低温外延方法以(SiH2)n气体作为反应源，采用紫外光照射对所述(SiH2)n气体进行裂解并于基底表面淀积硅。本发明采用紫外光裂解的方式对 (SiH2)n气体进行裂解并于基底表面淀积硅，可以大大降低硅外延所需的温度，并提高外延的速率，本发明硅外延的温度可以降低至370‑600℃，淀积的速率可提高至13‑370nm/min；本发明外延温度低，淀积速率高，可以满足较先进的器件需求，如逻辑器件，实现更浅更窄的结深，并且可以有效实现器件的三维堆叠结构。本发明工艺及设备简单，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 外延 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种低温外延方法，其特征在于，所述低温外延方法以(SiH2)n气体作为反应源，采用紫外光照射对所述(SiH2)n气体进行裂解并于基底表面淀积硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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