[发明专利]低温外延方法及设备

权利要求书

1.一种低温外延方法，其特征在于，所述低温外延方法以(SiH₂)n气体作为反应源，采用紫外光照射对所述(SiH₂)n气体进行裂解并于基底表面淀积硅。

2.根据权利要求1所述的低温外延方法，其特征在于：所述(SiH₂)n中，n为整数，且n＞3。

3.根据权利要求2所述的低温外延方法，其特征在于：所述(SiH₂)n中，n为整数，且4≤n≤7。

4.根据权利要求1所述的低温外延方法，其特征在于：所述(SiH₂)n气体混合有运载气体，所述运载气体包括H₂、N₂、He及Ar中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求1所述的低温外延方法，其特征在于：所述低温外延方法选用的温度范围为370-600℃，淀积的速率范围为13-370nm/min。

6.根据权利要求1所述的低温外延方法，其特征在于：所述基底选用为单晶硅衬底，其表面淀积的硅为单晶硅。

7.一种低温外延设备，其特征在于，所述低温外延设备采用紫外光源，通过对反应源气体进行裂解的方式实现外延。

8.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述紫外光源包括设置于反应腔前方的紫外光裂解单元，用于在反应源输入进反应腔之前对反应源进行裂解。

9.根据权利要求8所述的低温外延设备，其特征在于：所述紫外光裂解单元包括裂解腔以及设置于所述裂解腔外部的紫外光单元。

10.根据权利要求9所述的低温外延设备，其特征在于：所述裂解腔的材质为透明材料。

11.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备采用红外光单元作为加热装置。

12.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备的反应腔上方同时设置有紫外光单元及红外光单元，所述反应腔下方设置有红外光单元。

13.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备采用的反应腔的材质为透明材料。

14.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备还包括连接于反应腔的掺杂气体输入端，用于输入掺杂气体。

15.根据权利要求14所述的低温外延设备，其特征在于：所述掺杂气体包括N型掺杂气体以及P型掺杂气体中的一种或两种。

16.根据权利要求7所述的低温外延设备，其特征在于：所述反应腔底部设置有支撑衬底，用于支撑需要进行外延的基底。

17.根据权利要求7～16任意一项所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备采用的反应源包括(SiH₂)n气体，所述(SiH₂)n中，n为整数，且n＞3。

18.根据权利要求17所述的低温外延设备，其特征在于：所述(SiH₂)n中，n为整数，且4≤n≤7。

19.根据权利要求17所述的低温外延设备，其特征在于：所述(SiH₂)n气体混合有运载气体，所述运载气体包括H₂、N₂、He及Ar中的一种或两种以上组合。

20.根据权利要求17所述的低温外延设备，其特征在于：所述低温外延设备在外延时选用的温度范围为370-600℃，淀积的速率范围为13-370nm/min。