[发明专利]一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路

摘要

本发明涉及一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路，包括偏置电路，所述偏置电路输出偏置电压vcur和偏置电压vcas，所述偏置电路包括第一负反馈电路、第二负反馈电路和调节电路；所述第一反馈电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、运算放大器A1、偏置电流源Iref_bias、可调电流源Iref_set和电阻R1，所述调节电路通过调节可调电流源Iref_set的电流值调节第一PMOS管的漏极电压。本发明能够在电流源级MOS管的V‑I曲线性能随着外界环境温度以及工艺的不同批次而有所变化时，自动调整电流源级MOS管的漏极电压使其维持较高的输出阻抗，从而使整个MOS管共栅共源电流源电路的输出阻抗维持较高的值，提高了MOS管共栅共源电流源电路输出阻抗性能的鲁棒性。

主权项

一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路，包括MOS管共栅共源电流源电路和偏置电路，所述偏置电路输出偏置电压vcur和偏置电压vcas，MOS管共栅共源电流源电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极接电源VDD，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接，第一PMOS管的栅极接偏置电压vcur，所述第二PMOS管的栅极接偏置电压vcas，其特征在于：所述偏置电路包括第一负反馈电路、第二负反馈电路和调节电路；所述第一负反馈电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、运算放大器A1、偏置电流源Iref_bias、可调电流源Iref_set和电阻R1，其是，第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接，第二PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极连接，第三PMOS管的源极接电源VDD，第三PMOS管的漏极分别与第四PMOS管的源极、运算放大器A1的反相端连接，所述第四PMOS管的栅极与运算放大器A1的输出端连接，第四PMOS管的漏极分别与第三PMOS管的栅极、偏置电流源Iref_bias的电流流入端连接，偏置电流源Iref_bias的电流流出端接地，所述电阻R1的一端接电源VDD，电阻R1的另一端分别与运算放大器A1的同相端、可调电流源Iref_set的电流流入端连接，可调电流源Iref_set的电流流出端接地；所述第二负反馈电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、运算放大器A2、偏置电流源Iref_bias1、可调电流源Iref_set1和电阻R2，所述第五PMOS管的源极接电源VDD，第五PMOS管的栅极接偏置电压vcur，第五PMOS管的漏极分别与第六PMOS管的源极、运算放大器A2的反相端连接，运算放大器A2的同相端分别与电阻R2的一端、可调电流源Iref_set1的电流流入端连接，电阻R2的另一端接电源VDD，可调电流源Iref_set1的电流流出端接地，第六PMOS管的漏极与偏置电流源Iref_bias1的电流流入端连接，偏置电流源Iref_bias1的电流流出端接地；所述调节电路的调节端与可调电流源Iref_set的受控端连接，所述调节电路获取第三PMOS管的漏极电压VD2、第五PMOS管的漏极电压VD4、偏置电流源Iref_bias的输出电流和偏置电流源Iref_bias1的输出电流，通过调节可调电流源Iref_set的电流值调节第一PMOS管的漏极电压。