[发明专利]一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路有效
| 申请号: | 201610327406.X | 申请日: | 2016-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN105786076B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
| 发明(设计)人: | 张俊安;陈超;张瑞涛;刘军;杨毓军;李广军 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人: | 赵荣之 |
| 地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 输出 阻抗 调节 功能 mos 管共栅共源 电流 偏置 电路 | ||
1.一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路,包括MOS管共栅共源 电流源电路和偏置电路,所述偏置电路输出偏置电压vcur和偏置电压vcas,MOS管共栅共源 电流源电路包括第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电源VDD,第一 PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接,第一PMOS管的栅极接偏置电压vcur,所述第 二PMOS管的栅极接偏置电压vcas,其特征在于:所述偏置电路包括第一负反馈电路、第二 负反馈电路和调节电路;
所述第一反馈电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、运算放大器A1、偏置电流源Iref_bias、 可调电流源Iref_set和电阻R1,其是,第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接,第 二PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极连接,第三PMOS管的源极接电源VDD,第三PMOS 管的漏极分别与第四PMOS管的源极、运算放大器A1的反相端连接,所述第四PMOS管的 栅极与运算放大器A1的输出端连接,第四PMOS管的漏极分别与第三PMOS管的栅极、偏 置电流源Iref_bias的电流流入端连接,偏置电流源Iref_bias的电流流出端接地,所述电阻R1 的一端接电源VDD,电阻R1的另一端分别与运算放大器A1的同相端、可调电流源Iref_set 的电流流入端连接,可调电流源Iref_set的电流流出端接地;
所述第二反馈电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、运算放大器A2、偏置电流源Iref_bias1、 可调电流源Iref_set1和电阻R2,所述第五PMOS管的源极接电源VDD,第五PMOS管的栅 极接偏置电压vcur,第五PMOS管的漏极分别与第六PMOS管的漏极、运算放大器A2的反 相端连接,运算放大器A2的同相端分别与电阻R2的一端、可调电流源Iref_set1的电流流入 端连接,电阻R2的另一端接电源VDD,可调电流源Iref_set1的电流流出端接地,第六PMOS 管的漏极与偏置电流源Iref_bias1的电流流入端连接,偏置电流源Iref_bias1的电流流出端接地; 所述调节电路的调节端与偏置电流源Iref_bias的受控端连接,所述调节电路获取第三PMOS 管的漏极电压VD2、第五PMOS管的漏极电压VD4、偏置电流源Iref_bias的输出电流和偏置电 流源Iref_bias1的输出电流,通过调节可调电流源Iref_set的电流值调节第一PMOS管的漏极 电压。
2.根据权利要求1所述的具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路,其 特征在于:所述调节电路包括电流减法运算电路、电压减法运算电路、除法运算电路、电阻基 准电路、电阻比较器以及调节控制电路,所述电流减法运算电路完成偏置电流源Iref_bias和偏 置电流源Iref_bias1的减法运算,得到差值电流ΔI;
电压减法运算电路完成第三PMOS管的漏极电压VD2和第五PMOS管的漏极电压VD4的减法 运算,得到差值电压ΔV;
除法运算电路完成差值电压ΔV和差值电流ΔI的除法运算,得到等效阻抗R3;
基准电阻RREF为电阻元件;
电阻比较器完成等效阻抗R3与基准电阻RREF的比较功能;
调节控制电路根据电阻比较器的输出值来调节可调电流源Iref_set的电流值。
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