[发明专利]透明防静电膜的制备方法

摘要

本发明提供一种透明防静电膜的制备方法，将氮化硼粉末与含氮助磨剂粉末混合进行球磨，之后经稀释、离心、及透析，得到水溶性HBN纳米片溶液，然后将水溶性HBN纳米片溶液与PEDOT:PSS水溶液进行混合得到混合溶液，并涂布在基板上制作出HBN/PEDOT复合透明防静电膜，由于HBN具有绝缘性好、硬度高、及性质稳定的特点，能够有效提升透明防静电膜的面电阻、及硬度系数，并且由于该方法是水溶液操作，而且用于涂布成膜的混合溶液性质稳定，因此该方法操作简单，适合大规模生产。

主权项

1.一种透明防静电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供微米级氮化硼粉末、及含氮助磨剂粉末，将所述微米级氮化硼粉末与含氮助磨剂粉末混合球磨，用去离子水稀释混合粉末并离心分离得到上层清液，之后通过透析去除多余的含氮助磨剂，得到水溶性HBN纳米片溶液；步骤2、提供PEDOT:PSS水溶液，将所述PEDOT:PSS水溶液与步骤1中得到的水溶性HBN纳米片溶液混合并分散均匀，得到混合溶液；步骤3、提供一基板，将所述步骤2中得到的混合溶液涂布在所述基板上，之后对基板进行烘烤，得到HBN/PEDOT复合透明防静电膜；所述步骤1中将微米级氮化硼粉末与含氮助磨剂粉末按质量比为1:10-100进行混合球磨；所述步骤1中球磨速度为100rpm-800rpm，球磨时间为5h-30h；所述步骤1中制得的水溶性HBN纳米片溶液浓度为0.01mg/ml-10mg/ml；所述步骤2中PEDOT:PSS溶液的固含量为0.2％-3％，pH值为1-4；所述步骤2中将PEDOT:PSS溶液与水溶性HBN纳米片溶液按质量比为1:0.01-1进行混合。