[发明专利]透明防静电膜的制备方法

权利要求书

1.一种透明防静电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供微米级氮化硼粉末、及含氮助磨剂粉末，将所述微米级氮化硼粉末与含氮助磨剂粉末混合球磨，用去离子水稀释混合粉末并离心分离得到上层清液，之后通过透析去除多余的含氮助磨剂，得到水溶性HBN纳米片溶液；

步骤2、提供PEDOT:PSS水溶液，将所述PEDOT:PSS水溶液与步骤1中得到的水溶性HBN纳米片溶液混合并分散均匀，得到混合溶液；

步骤3、提供一基板，将所述步骤2中得到的混合溶液涂布在所述基板上，之后对基板进行烘烤，得到HBN/PEDOT复合透明防静电膜；

所述步骤1中将微米级氮化硼粉末与含氮助磨剂粉末按质量比为1:10-100进行混合球磨；所述步骤1中球磨速度为100rpm-800rpm，球磨时间为5h-30h；

所述步骤1中制得的水溶性HBN纳米片溶液浓度为0.01mg/ml-10mg/ml；

所述步骤2中PEDOT:PSS溶液的固含量为0.2％-3％，pH值为1-4；

所述步骤2中将PEDOT:PSS溶液与水溶性HBN纳米片溶液按质量比为1:0.01-1进行混合。

2.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中含氮助磨剂粉末包括碳酸氢铵、尿素、氯化铵、及硫酸铵中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中微米级氮化硼粉末及含氮助磨剂粉末的混合质量比为1:50。

4.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中制得的水溶性HBN纳米片溶液浓度为0.05mg/ml。

5.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中PEDOT:PSS溶液的固含量为1.5％，pH值为2。

6.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中对混合溶液的涂布方法为喷涂、刷涂、辊涂、丝网印刷、凹版印刷、柔板印刷、或狭缝涂布。

7.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中对混合溶液的涂布方法为旋涂，旋涂转速为800rpm-2000rpm，旋涂时间为60s-600s。

8.如权利要求1所述的透明防静电膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中烘烤温度为80℃-150℃，烘烤时间为60s-600s；所述步骤3中制得的HBN/PEDOT复合透明防静电膜的厚度为0.1um-100um。