[发明专利]一种MEMS加速度传感器及制造方法

摘要

本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及基于MEMS加工工艺制成的MEMS加速度传感器，包括硅衬底、硅衬底中的第一预定空腔及第一预定空腔上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其第二预定空腔上方的悬空硅膜、半导体掺杂电阻，半导体掺杂与导电线电连接；于第一预定空腔上方形成第一连接件、第一释放槽，于第二预定空腔上方形成限位挡板、第二释放槽、第二连接件，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，第一连接件、第二连接件一端与硅衬底连接，另一端和第一预定空腔上方的悬空硅膜连接，通过悬空释放结构中的限位挡板实现精确的限位过载保护目的，结构简单，且易于加工。

主权项

1.一种MEMS加速度传感器，其特征在于，包括硅衬底，以及形成于所述硅衬底内的第一预定空腔，以及位于所述第一预定空腔上方悬空硅膜中的至少一个第二预定空腔；于所述硅衬底表面预定位置形成有半导体掺杂电阻所述半导体掺杂电阻与导电线电连接；于所述第一预定空腔上方形成第一释放槽、第一连接件，所述第一释放槽避开所述半导体掺杂电阻设置，于所述至少一个第二预定空腔上方形成限位挡板、第二释放槽、第二连接件，所述第一释放槽结合所述第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，所述限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，所述第一连接件、第二连接件一端与硅衬底连接，另一端和第一预定空腔上方的悬空硅膜连接。