[发明专利]一种红外光敏二极管及其制备方法有效
申请号: | 201610303707.9 | 申请日: | 2016-05-10 |
公开(公告)号: | CN105870243B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 彭坤;刘开锋;刘红元 | 申请(专利权)人: | 苏州智权电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外光敏二极管,包括硅衬底、第一陶瓷纤维层、第一电阻薄膜层、硫化锌层、碲镉汞层、第二电阻薄膜层、第二陶瓷纤维层、第一钝化保护层、第一电极、第二电极。第一电极的电极连接部依次穿过所述第一钝化保护层、所述第二陶瓷纤维层、所述碲镉汞层、所述硫化锌层与所述第一电阻薄膜层连接,所述第二电极的电极连接部依次穿过所述第一钝化保护层、所述第二陶瓷纤维层与所述第二电阻薄膜层连接。本发明的红外光敏二极管的制备方法结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理,该红外二极管集成度高、加工成本低、稳定性好、工艺可靠性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 光敏 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种红外光敏二极管,其特征在于,包括:硅衬底(10)、第一陶瓷纤维层(11)、第一电阻薄膜层(12)、硫化锌层(13)、碲镉汞层(14)、第二电阻薄膜层(15)、第二陶瓷纤维层(16)、第一钝化保护层(17)、第一电极(18)、第二电极(19);所述第一陶瓷纤维层(11)设置在所述硅衬底(10)的表面,所述第一陶瓷纤维层(11)的表面并列设置有所述第一电阻薄膜层(12)和所述硫化锌层(13),所述硫化锌层(13)的表面设置有所述碲镉汞层(14),所述碲镉汞层(14)的表面并列设置有所述第二陶瓷纤维层(16)和所述第二电阻薄膜层(15),所述第二陶瓷纤维层(16)的上方设置有所述第一钝化保护层(17),所述第一电极(18)的电极连接部(1801)依次穿过所述第一钝化保护层(17)、所述第二陶瓷纤维层(16)、所述碲镉汞层(14)、所述硫化锌层(13)与所述第一电阻薄膜层(12)连接,所述第二电极(19)的电极连接部(1901)依次穿过所述第一钝化保护层(17)、所述第二陶瓷纤维层(16)与所述第二电阻薄膜层(15)连接,所述第一电极(18)的电极连接部(1801)和所述第二电极(19)的电极连接部(1901)外部均包覆有竖直方向的第二钝化保护层(20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的