[发明专利]一种红外光敏二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种红外光敏二极管，其特征在于，包括：硅衬底(10)、第一陶瓷纤维层(11)、第一电阻薄膜层(12)、硫化锌层(13)、碲镉汞层(14)、第二电阻薄膜层(15)、第二陶瓷纤维层(16)、第一钝化保护层(17)、第一电极(18)、第二电极(19)；

所述第一陶瓷纤维层(11)设置在所述硅衬底(10)的表面，所述第一陶瓷纤维层(11)的表面并列设置有所述第一电阻薄膜层(12)和所述硫化锌层(13)，所述硫化锌层(13)的表面设置有所述碲镉汞层(14)，所述碲镉汞层(14)的表面并列设置有所述第二陶瓷纤维层(16)和所述第二电阻薄膜层(15)，所述第二陶瓷纤维层(16)的上方设置有所述第一钝化保护层(17)，所述第一电极(18)的电极连接部(1801)依次穿过所述第一钝化保护层(17)、所述第二陶瓷纤维层(16)、所述碲镉汞层(14)、所述硫化锌层(13)与所述第一电阻薄膜层(12)连接，所述第二电极(19)的电极连接部(1901)依次穿过所述第一钝化保护层(17)、所述第二陶瓷纤维层(16)与所述第二电阻薄膜层(15)连接，所述第一电极(18)的电极连接部(1801)和所述第二电极(19)的电极连接部(1901)外部均包覆有竖直方向的第二钝化保护层(20)。

2.根据权利要求1所述的红外光敏二极管，其特征在于：

所述第一钝化保护层(17)和所述第二钝化保护层(20)为氧化硅薄膜层或氮化硅薄膜层或氮氧化硅薄膜层。

3.一种红外光敏二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在硅衬底(10)的表面旋涂凝胶可织性溶胶，高温煅烧所述凝胶可织性溶胶形成第一陶瓷纤维层(11)；

S2：在所述第一陶瓷纤维层(11)的表面沉积电阻薄膜层，在所述电阻薄膜层的上方旋涂光刻胶(30)，干法刻蚀获取第一电阻薄膜层(12)，去除残留光刻胶；

S3：在所述第一电阻薄膜层(12)的表面和所述第一陶瓷纤维层(11)的表面制备硫化锌层(13)，在所述硫化锌层(13)的表面制备碲镉汞层(14)；

S4：在所述碲镉汞层(14)的表面沉积电阻薄膜层，在所述电阻薄膜层的上方旋涂光刻胶(31)，干法刻蚀获取第二电阻薄膜层(15)，去除残留光刻胶；

S5：在所述第二电阻薄膜层(15)的表面和所述碲镉汞层(14)表面旋涂凝胶可织性溶胶，高温煅烧所述凝胶可织性溶胶形成第二陶瓷纤维层(16)；

S6：在所述第二陶瓷纤维层(16)的表面沉积第一钝化保护层(17)，在所述第一钝化保护层(17)的上方旋涂光刻胶(32)，干法刻蚀通孔停止在所述第一电阻薄膜层(12)和所述第二电阻薄膜层(15)，形成第一通孔(1802)和第二通孔(1902)；

S7：在所述第一通孔(1802)的表面、所述第二通孔(1902)的表面和所述第一钝化保护层(17)的表面采用化学气相沉积的方法沉积第二钝化保护层(20)，干法刻蚀获取第一电极(18)和所述第一电阻薄膜层(12)的第一连接孔(1803)、第二电极(19)和所述第二电阻薄膜层(15)的第二连接孔(1903)；

S8：在所述第一连接孔(1803)的表面、所述第二连接孔(1903)的表面和所述第一钝化保护层(17)的表面沉积导电材料，形成电极层，在所述电极层的表面旋涂光刻胶(33)，干法刻蚀获取第一电极(18)、第一电极连接部(1801)、第二电极(19)、第二电极连接部(1901)，去除残留光刻胶；

S9：切割划片区域(401)，获取单个红外光敏二极管。

4.根据权利要求3所述的红外光敏二极管制备方法，其特征在于，步骤S1和步骤S5中：

所述凝胶可织性溶胶为沉积氧化铝的铝氧凝胶可织性溶胶。

5.根据权利要求4所述的红外光敏二极管制备方法，其特征在于：

将六水合氯化铝3g、正硅酸四乙酯0.26ml、异丙醇铝4.6g、无水乙醇8ml、冰醋酸0.8ml、盐酸2ml、聚乙烯吡咯烷酮0.2g加去离子水搅拌至透明获取所述铝氧凝胶可织性溶胶。

6.根据权利要求3所述的红外光敏二极管制备方法，其特征在于，步骤S2和步骤S4中：

所述第一电阻薄膜层(12)和所述第二电阻薄膜层(15)为采用物理气相沉积成分比例为50:50的CrNi合金。

7.根据权利要求3所述的红外光敏二极管制备方法，其特征在于，步骤S3中：

制备硫化锌层(13)采用的方法为化学气相沉积方法、分子束外延方法、原子层沉积方法中的一种；制备碲镉汞层(14)采用的方法为化学气相沉积方法、分子束外延方法、原子层沉积方法中的一种。