[发明专利]一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法在审
| 申请号： | 201610292659.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105779943A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄贤明;张先超;孙昇凌;李明仁 | 申请（专利权）人： | 厦门建霖工业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/12;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/02 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361021 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法，一，等离子体辉光处理：将基材放入PVD真空设备中，进行抽真空，当真空度达到10‑2Pa时，对基材实施等离子辉光处理；二，中频磁控溅射透明氧化硅膜，溅射靶材为纯硅靶；三，真空蒸镀氟硅烷疏水膜：采用真空蒸镀技术，在溅射二氧化硅膜过程的第三分钟开始进行蒸发氟硅烷：预热清洗氟硅烷镀材10‑30秒，电压2‑3V；预蒸发20‑50秒，电压3‑4V；蒸发100‑200秒，电压4‑6V，在二氧化硅膜层表面沉积一层氟硅烷，并与二氧化硅形成硅烷交联反应，得到透明的氟硅烷疏水膜层。本发明可以形成结合力较好的镀膜，且成膜无需高温烘烤，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 硅烷 制备 疏水 方法 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：一，等离子体辉光处理：将基材放入PVD真空设备中，进行抽真空，当真空度达到10‑2Pa时，对基材实施等离子辉光处理，离子源电流0.5‑0.8A，氩气流速100‑200SCCM，时间为2‑5min；二，中频磁控溅射透明氧化硅膜：中频电源功率300‑1000W，负偏压100‑200V，氩气流速30‑80SCCM，氧气流速50‑100SCCM，溅射时间为4‑7min，溅射靶材为纯硅靶；三，真空蒸镀氟硅烷疏水膜：采用真空蒸镀技术，在溅射二氧化硅膜过程的第三分钟开始进行蒸发氟硅烷：预热清洗氟硅烷镀材10‑30秒，电压2‑3V；预蒸发20‑50秒，电压3‑4V；蒸发100‑200秒，电压4‑6V，在二氧化硅膜层表面沉积一层氟硅烷，并与二氧化硅形成硅烷交联反应，得到透明的氟硅烷疏水膜层。
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