[发明专利]一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法在审
| 申请号： | 201610292659.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105779943A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄贤明;张先超;孙昇凌;李明仁 | 申请（专利权）人： | 厦门建霖工业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/12;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/02 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361021 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 硅烷 制备 疏水 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的方法，其特征在于， 包括以下步骤：
一，等离子体辉光处理：将基材放入PVD真空设备中，进行抽真 空，当真空度达到10-2Pa时，对基材实施等离子辉光处理，离子源电 流0.5-0.8A，氩气流速100-200SCCM，时间为2-5min；
二，中频磁控溅射透明氧化硅膜：中频电源功率300-1000W，负 偏压100-200V，氩气流速30-80SCCM，氧气流速50-100SCCM，溅射 时间为4-7min，溅射靶材为纯硅靶；
三，真空蒸镀氟硅烷疏水膜：采用真空蒸镀技术，在溅射二氧化 硅膜过程的第三分钟开始进行蒸发氟硅烷：预热清洗氟硅烷镀材 10-30秒，电压2-3V；预蒸发20-50秒，电压3-4V；蒸发100-200 秒，电压4-6V，在二氧化硅膜层表面沉积一层氟硅烷，并与二氧化 硅形成硅烷交联反应，得到透明的氟硅烷疏水膜层。
2.如权利要求1所述的一种物理气相沉积氟硅烷制备疏水膜的 方法，其特征在于，在等离子体辉光处理步骤之前，还包括基材清洗 步骤。
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