[发明专利]基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610280939.7 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105742393A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 贺永宁;黄志永;赵小龙;祁晓萌;彭文博;陈亮;欧阳晓平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法，包括壳体、两条引线、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层及衬底基片，所述电极层由若干等间距分布的Al膜组成，其中一个引线与一部分Al膜相连接，另一个引线与另一部分Al膜相连接，与且两个引线连接的Al膜交错分布。本发明具有低噪声、高灵敏度、快速响应特性，制备成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 zno 薄膜 电导 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器，其特征在于，包括壳体、两条引线(4)、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层(2)及衬底基片(1)，所述电极层由若干等间距分布的Al膜(3)组成，其中一个引线(4)与一部分Al膜(3)相连接，另一个引线(4)与另一部分Al膜(3)相连接，且与两个引线(4)连接的Al膜(3)交错分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
